Оперативно запоминающее устройство (ОЗУ) – модуль временной памяти, который используется в компьютерной архитектуре для хранения определенного набора команд и информации. обеспечивает стабильную и надежную работу операционной системы и запущенных программ и приложений.
С развитием технологий оперативная память постоянно усовершенствовалась: увеличивались ее объем и производительность. Современный тип ОЗУ DDR3 является модернизированной версией своего «предка», который пришел на смену оперативной памяти типа DIMM в далеких 90-х годах.
Прежде чем определять различия между DDR3 и DDR3L следует ознакомиться с конструкцией ОЗУ типа DDR. Оперативная память собрана на форм-факторе своего предшественника DIMM. Платформу оснастили микросхемами, которые собираются в корпусах TSOP BGA и транзисторов, благодаря чему передача информации осуществлялась как по фронту, так и спаду. Осуществление двойной передачи данных за один такт стало возможным за счет реализации в компьютерной архитектуре технологии 2n Prefetch.
Развитие компьютерных технологий и внедрение в производство инновационных привело к тому, что микросхемы для модуля оперативного запоминающего устройства типа DDR3 стали изготавливаться только в корпусах BGA. Это же способствовало модернизации транзисторов, и появились новые модели с двойным затвором Dual-gate. Применения данной технологии позволило сократить величину токов утечки и повысить производительность ОЗУ. Так в ходе своего развития энергопотребление блока памяти снижалось: DDR – 2,6 В, DDR2 – 1,8 В и DDR3 – 1,5 В.
Внимание! Модули памяти типа DDR2 и DDR3 не совместимы и не взаимозаменяемы по механическим и электротехническим показателям. Защита от установки планки оперативной памяти в несоответствующий слот (разъем) реализована за счет расположения ключа в разных местах модуля.
Особенности оперативной памяти DDR3
Планки ОЗУ выпускаются от 1 ГБ до 16 ГБ, а частота памяти может находиться в диапазоне 100 – 300 МГц, а шины от 400 до 120 МГц. В зависимости от частоты шины оперативная память DDR3 обладает разной пропускной способностью:
- DDR3-1600 – от 2400 до 2500 МБ/сек;
- DDR3-1866 – от 2800 до 2900 МБ/сек;
- DDR3-2133 – от 3200 до 3500 МБ/сек;
- DDR3-2400 – от 3400 до 3750 МБ/сек.
Оптимальными значениями частоты шины оперативно запоминающего устройства являются 1066 – 1600 МГц. При увеличении частоты возрастает энергопотребление модуля памяти вплоть до 1,65 В при частоте шины 2400 МГц. Подобное явление ведет за собой нагрев планок и обильное выделение тепловой энергии. Для устранения подобного недостатка высокопроизводительные платы ОЗУ оснащаются системой пассивного охлаждения, т. е. радиаторами из алюминиевого сплава, которые устанавливаются двустороннюю липкую ленту-термоинтерфейс.
Также повышение энергопотребления может осуществляться при разгоне компьютера или выполнении определенных действий (операций). Это осуществляется внутренними преобразователями за счет использования в планках оперативной памяти DDR3 напряжения Vddr. Следует помнить, что это также ведет к излишнему выделению количества тепла.
Внимание! Выделение количества тепловой энергии выше установленного значения приводит к снижению общей производительности компьютера, появлению «зависания» и «тормозов» операционной системы и выполняемых программ.
Структура DDR3 насчитывает 8 банков памяти, а величина строки ее чипа составляет 2048 байт. Подобное строение, а также недостатки технологии SSTL, из-за которой возможны утечки токов появляются длинные тайминги в работе оперативно запоминающего устройства. Это также приводит к относительно медленному переключению между чипами памяти.
Особенности оперативной памяти DDR3L
По своей конструкции планки оперативной памяти DDR3L аналогичны DDR3. Они имеют те же 240 контактов, габаритные размеры одинаковые за исключением высоты она равна 28 – 32,5 мм против 30,8 мм у DDR3. Подобная разница обуславливается наличием радиаторов в зависимости от модели и фирмы производителя устройства.
Оснащение оперативной памяти DDR3L системой пассивного охлаждения предусматривает возможность ее разгона и увеличения производительности за счет увеличения энергопотребления. Подобное решение позволяет эффективно выполнять отвод и рассеивание обильно выделяемой тепловой энергии для и предотвращения перегрева и преждевременного выхода из строя модуля памяти. Размеры ОЗУ, устанавливаемые в , сопоставимы со стандартными платами DDR3. Большая часть подобных модулей памяти на компьютерном рынке представлена в исполнении с отсутствием радиаторов охлаждения. Подобное решение сводится к тому, что данный класс ПК малопригоден к модернизации и разгону.
Внимание! В начале 2012 года на рынке появилась разновидность данной модификации оперативно-запоминающего устройства DDR3L-RS, она специально разработана под смартфоны.
Индекс «L» в маркировки ОЗУ DDR3L означает Low – сниженное энергопотребление. Данная модификация оперативной памяти в сравнении с DDR3 нуждается в источнике питания, напряжение которого составляет 1,35 В. Данная модернизация приводит к сокращению энергопотребления на 10 — 15% в сравнении с DDR3 и до 40 % относительно DDR2, снижению величины нагрева устройства. То есть уменьшенное выделение тепла предусматривает возможность отказа от пассивного охлаждения и приводит к сокращению таймингов, повышению производительности и стабильности в работе устройства. Остальные технические характеристики оперативной памяти типа DDR3L сопоставимы с ее «прародителем» DDR3.
Совместимость и взаимозаменяемость DDR3 на DDR3L может осуществляться только в обратном порядке. Поскольку установка ОЗУ DDR3 в слот под оперативную память DDR3L приведет к не совместимости по электрическим параметрам и ее запуск не осуществится. Обратная замена возможна, но повышенное значение напряжения под DDR3 может привести к нагреву платы оперативной памяти DDR3L.
Как выбрать оперативную память: видео
При столкновении с проблемой оптимизации работы компьютера и увеличении его производительности, первый шаг к решению поставленной задачи, который проще всего сделать — это повысить объем оперативной памяти или оптимизировать ее посредством увеличения быстродействия. Самым оптимальным вариантом из предложенных является приобретение дополнительной планки оперативно-запоминающего устройства (ОЗУ) или замена уже имеющихся планок памяти на те, которые обладают большой емкостью.
Сложность выбора при замене модуля оперативной памяти Windows заключается в особенности влияния ее параметров на производительность компьютера. Стоит не забывать, что оперативная память обменивается данными с центральным процессором. Чем крепче взаимосвязь этих компонентов, тем быстрее в системе осуществляются необходимые вычисления. Поэтому к выбору памяти нужно подходить исходя из вышесказанного и тогда, ОЗУ, станет работать с максимальной эффективностью.
Но прежде чем идти в магазин за новыми планками, необходимо установить:
Начнем по порядку. Вообще, для чего нужна оперативная память? Для того, чтобы временно хранить данные для выполнения текущих операций процессора. Чем она больше, тем соответственно процессору легче одновременно выполнять несколько задач.
Оперативная память является энергозависимой, то есть после того, как комп выключиться, все данные на ней удалятся, в отличие от данных, которые хранятся на жестком диске.
Для этого даже не обязательно открывать крышку компьютера — запускаем уже известную нам утилиту Speccy и находим в ней текущие характеристики в соответствующем разделе. В принципе, здесь уже представлены все основные характеристики, подробно которые мы рассмотрим чуть ниже.
В данный момент нас интересует объем — у меня на ноутбуке имеются 2 слота, оба из которых заняты. Общий размер — 2000 Мб (2Гб), то есть на ноуте стоят 2 планки по 1 Гб.
Для нормальной ежедневной работы Windows этого вполне достаточно, однако если вы планируете играть в игры со сложной графикой или пользоваться тяжелыми графическими или видео программа, то желательно поставить побольше.
Кстати, у каждой версии операционной системы есть минимальные требования по оперативной памяти, без которых она просто не будет работать.
Даже при планировании объема для увеличения следует узнать из характеристик материнской платы или процессора, какой максимальный размер поддерживается. Это указывается в подробном описании в разделе памяти. Так, в модели Intel Core i54430 максимальный размер — 32 Гб.
Для офисного ПК, на котором будет происходить работа только с офисными документами, достаточно 1 Гб памяти.
Для дома для просмотра видео, фото, использовании различных приложений рекомендуется использовать от 2 Гб.
Для мощного игрового компьютера — 8Гб и выше.
Однако имейте в виду, что 4 Гб и более будут полноценно работать только на 64-разрядной ОС, Windows c 32-х увидит не более 3 Гб.
Следующим показателем, характеризующим оперативку, является ее тип. Перечислим их по мере развития технологий — SDRAMM DIMM, DDR (или PC), DDR2 (PC-2) и DDR3 (PC-3).
Как видно из вышепредставленного скрина из программы Speccy, у меня на ноутбуке поддерживается память DDR3, хотя на сегодняшний день самым последним современным стандартом является DDR4.
Все современные процессоры работают именно с этим стандартом, однако на старых платах можно встретить и более старые стандарты. Если вашему компьютеру уже много лет, то вполне вероятно, что на нем используется устаревший тип и модуль памяти нужно подбирать именно этого стандарта. Модули памяти разных типов несовместимы с «чужими» слотами на системной плате.
Узнать тип поддерживаемой оперативной памяти можно также из характеристик процессора (CPU) или модели материнской платы на официальном сайте производителя — узнать эти модели также легко в программе Speccy или ее аналогах.
Если у вас есть в наличии запасные планки оперативки, то также иногда бывает непросто определить, к какому типу она относится. Обычно на них имеется наклейка с указанием типа — PC, PC-2, PC-3 или DDR, DDR2, DDR3. Но если наклейки нет, то будем определять следующим образом.
Планки DDR и DDR2 внешне очень похожи и имеют 1 ключ (вырез), расположенный практически по центру. Но на DDR 180 контактов — по 92 с каждой стороны. А на DDR2 — 240 — по 120 с каждой стороны, причем они визуально уже, чем DDR2. Посчитать их легко, так как они пронумерованы.
На модулях DDR3 такое же количество контактов, как у PC-2, однако ключ не посередине, а смещен к краю.
Модуль памяти совсем старого стандарта SDRAM отличается наличием двух ключей.
Количество слотов, предназначенных для установки планок, мы также видели в программе — у меня их 2. Если же открыть крышку корпуса компьютера, то можно на плате увидеть несколько характерных одно- или разноцветных разъема. Это и есть место, куда ставятся планки памяти. На картинке ниже их 4.
Разноцветность говорит нам о том, что на данной плате память может работать в двухканальном режиме — то есть одновременно данные передаются контроллеру в процессор или северный мост (в зависимости от ) по двум каналам, что повышает скорость обработки данных.
Для активации этого режима следует приобрести минимум 2 планки и, как правило, вставить их в два одноцветных разъема. В какие именно? Это написано в инструкции к плате и в разных моделях цвета могут отличаться. Если же покупаете сразу 4 модуля — то задействуйте сразу все слоты.
Нужно еще учитывать, что если у вас в данный момент общая память 2 Гб, как у меня, и вы планируете увеличить ее до 4Гб, то оптимально приобрести 2 модуля по 2Гб, чем один 4Гб, так как их вы сможете задействовать по-максимому в в двухканальном режиме.
Здесь также следует отметить, что при покупке нескольких модулей желательно выбирать одного производителя, а еще лучше взять готовый комплект (KIT), состоящий сразу из нескольких планок — такой набор гарантированно будет без проблем работать.
Еще один важный показатель памяти — ее тактовая частота, которая измеряется в мегагерцах (МГц). От нее зависит скорость обработки информации. При выборе модуля обязательно посмотрите, какую частоту официально поддерживает ваш процессор. Та модель, которая была показана на скрине выше, работает с памятью PC3-12800 (DDR3 1600 МГц), PC3-10600 (DDR3 1333 МГц), PC3-8500 (DDR3 1066 МГц). Эти же характеристики можно увидеть на сайтах интернет-магазинов в подробном описании модулей памяти. Например, посмотрим на игровой комплект из 4 планок по 4 гига Corsair XMS3 DDR-III DIMM 32Gb KIT 4*8Gb:
От частоты зависит также такой параметр, как пропускная способность, который показывает, какой объем данных может максимально быть передан за определенное время. Измеряется в мегабайтах в секунду (Мб/с) и вычисляется умножением частоты на 8. То есть в нашем примере у памяти частота 1333 МГц * 8 = 10667 Мб/с, что также видно в описании.
Чем больше пропускная способность, тем выше скорость работы модуля оперативной памяти. Однако учитываем тот факт, что
современные процессоры поддерживают работу с памятью, у которой максимальная частота 1600 МГц.
Если купите дорогущую планку с частотой выше — работать она будет так же, как более дешевая на 1600 МГц.
Здесь же можно сказать еще о такой характеристике, как тайминг. Это время задержек при обработке операций внутри самих микросхем модуля оперативки. Записывается тайминг как последовательность нескольких цифр — в нашем примере это 9-9-9-24. Последний 4й двузначный параметр характеризует быстродействие всей микросхемы в целом.
Также тайминг может обозначаться буквами CL и числом, которая обозначает первое значение в подробной последовательности. В нашем примере в коротком варианте это бы обозначалось как CL9.
Чем меньше тайминги, тем лучше, но и стоят таким модули дороже. Однако это имеет значение только для высокопроизводительных скоростных ПК — для дома и офиса на данный параметр можно не обращать внимания.
Игроманы же могут воспользоваться настройками BIOS и вручную поиграть с изменением таймингов в меньшую сторону, однако делать это нужно аккуратно, иначе рискуете испортить модули.
По идее это первый вопрос, который бы мы должны себе задать, но по существу не самый важный, так как перепутать формфактор просто невозможно. Для ноутбука модули широкие и короткие, для ПК — длинные и узкие.
На сайтах в характеристиках обозначаются они так:
Если вы приобретаете модуль оперативной памяти для мощного игрового компьютера, то следует обратить внимание на тип ее охлаждения. При интенсивной работе или «разгоне» уменьшением таймингов они могут нагреваться, поэтому работы внутрикорпусных вентиляторов для их охлаждения может не хватить.
На простых планках охлаждения нет вообще — вы увидите открытые припаянные чипы микросхем. На более дорогих моделях устанавливается самый распространенный тип охлаждения — металлический радиатор.
Для самых же заядлых игроманов придумали даже такую штуку, как водяное охлаждение — такие модули вместе с системой могут значительно превышать по стоимости и материнку, и процессор вместе взятые.
Теперь давайте расшифровать название модуля памяти, представленного в одном из популярных интернет-магазинов:
Crucial Ballistix Sport XT BLS2C4G3D18ADS3CEU DDR-III DIMM 8Gb KIT 2*4Gb PC3-14900 CL10
В завершение — подробное видео по установке модуля памяти в компьютер.
Современный рынок компьютерных комплектующих развивается столь стремительно, что даже продвинутые пользователи не успевают понять, в чем различие той или иной технологии, как уже появляется новая. Точно такая же ситуация с модулями оперативной памяти. Недавно еще все обсуждали преимущества "тройки" перед стандартной "двойкой", как уже появилась и "четверка", и улучшенная "тройка" с литерой L. Забраться в такие дебри IT-индустрии и не свернуть себе шею в хитросплетениях терминов и технологий может только очень подкованный в этой теме человек. Но нужно разобраться, какая разница между DDR3 и DDR3L. Начнем с истоков.
В отличие от устаревшей "двойки" в третьей версии емкость микросхем увеличена. Теперь она составляет 8 бит. Это не могло не сказаться положительно на производительности. Также вырос минимальный объем модулей - теперь он составляет 1 гигабайт. Меньше просто невозможно. Разница между DDR3 и DDR3L, которую мы рассмотрим чуть ниже, несущественна. Тут больше разницы между "двойкой" и "тройкой". И она заметна невооруженным глазом. Кстати, и энергопотребление снизилось, что сделало данный тип памяти более подходящим для мобильных компьютеров (ноутбуков).
"Тройка" - стандарт далеко не новый. Поэтому особо радоваться здесь нечему. DDR4 гораздо производительнее. Но, тем не менее, именно этот тип памяти наиболее распространен в наше время. DDR3 и DDR3L, разница в которых не так уж существенна, - однотипные модули. Но разобраться в том, что их отличает, стоит хотя бы для самообразования. Что ж, теперь рассмотрим характеристики "тройки" с литерой L.
По сути, в этой памяти все стандартно. Как в обычной "тройке". Но есть одно существенное различие - энергопотребление. В 3L оно равно 1,35 В. Для сравнения, обычная "тройка" потребляет 1,50 В. Это весьма существенно, если говорить о ноутбуках, нетбуках и ультрабуках, то есть о мобильных компьютерах. В их случае энергопотребление играет решающую роль, так как им нужно довольно продолжительное время работать от аккумулятора. Этим и отличаются DDR3 и DDR3L. Разница не такая уж заметная, но существенная.
В последнее время производители мобильных компьютеров используют только энергоэффективные модули "тройки". Поэтому стало возможно заставить ноутбуки работать от батареи дольше, чем это было раньше. Хоть показатели не особо и отличаются. DDR3 и DDR3L, разница в которых тут рассматривается, на данный момент самые приемлемые варианты для персональных компьютеров и ноутбуков. Теперь рассмотрим наиболее популярные модели.
Этот модуль прекрасно подходит для ноутбуков среднего ценового сегмента. Он работает на частоте 1333 мегагерц, рабочее напряжение составляет 1,35 В. Это и DDR3, и DDR3L, разница между которыми не особо существенна, в одном флаконе. Объем данной оперативной памяти составляет 4 гигабайта, что вполне достаточно для работы и графических приложений. Мультимедиа тоже будет работать отлично. Этот модуль выглядит идеальным по соотношению "цена-качество".
Как обычно, Kingston радует пользователей быстрой и качественной оперативной памятью. Но не стоит забывать и о практичности. Дело в том, что эта оперативка стоит довольно прилично по сравнению с ее техническими характеристиками. Поэтому ее покупка представляется сомнительной с точки зрения практичности. Нужно дважды подумать перед тем, как покупать сей модуль памяти. А в остальном - это отличная и долговечная оперативка, коих мало на современном рынке.
Еще один модуль из самого среднего ценового сегмента. Эта оперативная память работает уже на частоте 1600 мегагерц и может даже использоваться для игр. Особенно производителен тандем из двух модулей такой памяти. Имеются "планки" DDR3 и DDR3L, разница между которыми-таки есть. Как и вся техника этой компании, модули памяти отличаются высочайшим качеством и непревзойденной надежностью. В настоящее время - это одни из лучших модулей на современном рынке компьютерных комплектующих.
Компания Samsung хорошо известна качественными смартфонами и другими устройствами. Но вот модули оперативной памяти ее специалисты могли бы сделать и получше. В них нет и тени легендарного корейского качества. Но работает память хорошо. Хоть и не выглядит особо крепкой или надежной. Кстати, она очень болезненно переносит разгон. Вплоть до самых печальных последствий. Так что подвергать ее подобной процедуре не стоит. Итак, продолжим. DDR3L и DDR3. Какая разница между ними?
Еще один бюджетный модуль оперативной памяти стандарта 3L. Его рабочая частота составляет 1600 мегагерц. Рабочее напряжение - 1,35 В. Это стандартно для энергоэффективной памяти. Более ничем выдающимся этот модуль памяти не отличается. Вот только в двухканальном режиме он работает гораздо лучше своих предшественников. Два таких модуля способны заметно поднять производительность любого лэптопа. И в этом их главная заслуга. Стоит эта недорого. Поэтому она и является самой распространенной.
Это легендарный производитель модулей оперативной памяти. Все помнят его высокопроизводительные модели для геймерских компьютеров. Но и в бюджетном сегменте Crucial не ударили в грязь лицом. Модули получились производительными, надежными и энергоэффективными, что немаловажно для владельцев ноутбуков. Приятно, что легендарный производитель, наконец, развернулся лицом к любителям лэптопов.
Итак, мы рассмотрели типы памяти DDR3 и DDR3L. Разница в них хоть и несущественная, но есть. И если вы когда-нибудь захотите поменять в своем ноутбуке оперативную память, то обязательно приобретайте энергоэффективный тип. Сегодня любой производитель компьютерных комплектующих производит такую оперативную память. Выше перечислены самые популярные и надежные модели. Но это ведь далеко не все.
Многие при покупке flash-накопителя задаются вопросом: «как правильно выбрать флешку». Конечно, флешку выбрать не так уж и трудно, если точно знать для каких целей она приобретается. В этой статье я постараюсь дать полный ответ на поставленный вопрос. Я решил писать только о том, на что надо смотреть при покупке.
Flash-накопитель (USB-накопитель) – это накопитель, предназначенный для хранения и переноса информации. Работает флешка очень просто без батареек. Всего лишь нужно ее подключить к USB порту Вашего ПК.
Добрый день, мои дорогие друзья. В сегодняшней статье я хочу поговорить о том, как правильно выбрать коврик для мыши. При покупке коврика многие не придают этому никакого значения. Но как оказалось, этому моменту нужно уделять особое внимание, т.к. коврик определяют один из показателей комфорта во время работы за ПК. Для заядлого геймера выбор коврика это вообще отдельная история. Рассмотрим, какие варианты ковриков для мыши придуманы на сегодняшний день.
А теперь я бы хотел поговорить о каждом виде поподробнее.
1. Сначала хочу рассмотреть сразу три варианта: пластиковые, алюминиевые и стеклянные. Такие коврики пользуются большой популярностью у геймеров. Например, пластиковые коврики легче найти в продаже. По таким коврикам мышь скользит быстро и точно. И самое главное такие коврики подходят как для лазерных, так и для оптических мышей. Алюминиевые и стеклянные коврики найти будет немного сложнее. Да и стоить они будут немало. Правда есть за что – служить они будут очень долго. Коврики данных видов имеют маленькие недостатки. Многие говорят, что при работе они шуршат и наощупь немного прохладные, что может вызывать у некоторых пользователей дискомфорт.
2. Прорезиненные (тряпичные) коврики имеют мягкое скольжение, но при этом точность движений у них хуже. Для обычных пользователей такой коврик будет в самый раз. Да и стоят они намного дешевле предыдущих.
3. Двухсторонние коврики, на мой взгляд, очень интересная разновидность ковриков для мыши. Как понятно из названия у таких ковриков две стороны. Как правило, одна сторона является скоростной, а другая высокоточной. Бывает так, что каждая сторона рассчитана на определенную игру.
4. Гелиевые коврики имеют силиконовую подушку. Она якобы поддерживает руку и снимает с нее напряжение. Лично для меня они оказались самыми неудобными. По назначению они рассчитаны для офисных работников, поскольку те целыми днями сидят за компьютером. Для обычных пользователей и геймеров такие коврики не подойдут. По поверхности таких ковриков мышь скользит очень плохо, да и точность у них не самая хорошая.
На этом я хочу закончить статью. От себя желаю сделать Вам правильный выбор и быть им довольным.
У кого нет мышки или хочет её заменить на другую советую посмотреть статью: .
Моноблоки компании Microsoft пополнились новой моделью моноблока под названием Surface Studio. Свою новинку Microsoft представил совсем недавно на выставке в Нью-Йорке.
На заметку! Я пару недель назад писал статью, где рассматривал моноблок Surface. Этот моноблок был представлен ранее. Для просмотра статьи кликайте по .
На заметку! Разрешение дисплея 4500х3000 пикселей соответствует 13,5 млн пикселей. Это на 63% больше, чем у разрешения 4К.
На заметку! Для людей творческих профессий я советую посмотреть статью, где я рассматривал моноблоки подобного функционала. Кликаем по выделенному: .
На заметку! Кстати, у компании Microsoft есть еще один удивительный моноблок. Чтобы узнать о нем, переходите по .
Из периферии отмечу следующее: 4 порта USB, разъем Mini-Display Port, сетевой порт Ethernet, card-reader, аудио гнездо 3,5 мм, веб-камера с 1080р, 2 микрофона, аудиосистема 2.1 Dolby Audio Premium, Wi-Fi и Bluetooth 4.0. Так же моноблок поддерживает беспроводные контроллеры Xbox.
Компания OCZ продемонстрировала новые SSD-накопители VX 500. Данные накопители будут оснащаться интерфейсом Serial ATA 3.0 и сделаны они в 2.5-дюймовом форм-факторе.
На заметку! Кому интересно, как работает SSD-диски и сколько они живут, можно прочитать в ранее мною написанной статье: .Новинки выполнены по 15-нанометровой технологии и будут оснащаться микрочипами флеш-памяти Tochiba MLC NAND. Контроллер в SSD-накопителях будет использоваться Tochiba TC 35 8790.
Количество операций ввода/вывода в секунду (IOPS) с блоками данных размером 4 кбайта может достигать 92000 при чтении, а при записи 65000 (это все при произвольном).
Толщина накопителей OCZ VX 500 будет составлять 7 мм. Это позволит использовать их в ультрабуках.
Цены новинок будут следующими: 128 Гб — 64 доллара, 256 Гб — 93 доллара, 512 Гб — 153 доллара, 1 Тб — 337 долларов. Я думаю, в России они будут стоить дороже.
Компания Lenovo на выставке Gamescom 2016 представила свой новый игровой моноблок IdeaCentre Y910.
На заметку! Ранее я писал статью, где уже рассматривал игровые моноблоки разных производителей. Данную статью можно посмотреть, кликнув по этой .
У моноблока будет несколько конфигураций. В максимальной конфигурации предусмотрен процессор 6 поколения Intel Core i7, объем жесткого диска до 2 Тб или объемом 256 Гб. Объем оперативной памяти равен 32 Гб DDR4. За графику будет отвечать видеокарта NVIDIA GeForce GTX 1070 либо GeForce GTX 1080 с архитектурой Pascal. Благодаря такой видеокарте к моноблоку можно будет подключить шлем виртуальной реальности.
Из периферии моноблока я бы выделил аудиосистему Harmon Kardon с 5-ваттными динамиками, модуль Killer DoubleShot Pro Wi-Fi, веб-камеру, USB порты 2.0 и 3.0, разъемы HDMI.
В базовом варианте моноблок IdeaCentre Y910 появиться в продаже в сентябре 2016 года по цене от 1800 евро. А вот моноблок с версией «VR-ready» появится в октябре по цене от 2200 евро. Известно, что в этой версии будет стоять видеокарта GeForce GTX 1070.
Компания MediaTek решила модернизировать свой мобильный процессор Helio X30. Так что теперь разработчики из MediaTek проектируют новый мобильный процессор под названием Helio X35.
Я бы хотел вкратце рассказать о Helio X30. Данный процессор имеет 10 ядер, которые объединены в 3 кластера. У Helio X30 есть 3 вариации. Первый - самый мощный состоит из ядер Cortex-A73 с частотой до 2,8 ГГц. Так же есть блоки с ядрами Cortex-A53 с частотой до 2,2 ГГц и Cortex-A35 с частотой 2,0 ГГц.
Новый процессор Helio X35 тоже имеет 10 ядер и создается он по 10-нанометровой технологии. Тактовая частота в этом процессоре будет намного выше, чем у предшественника и составляет от 3,0 Гц. Новинка позволит задействовать до 8 Гб LPDDR4 оперативной памяти. За графику в процессоре скорее всего будет отвечать контроллер Power VR 7XT.
Саму станцию можно увидеть на фотографиях в статье. В них мы можем наблюдать отсеки для накопителей. Один отсек с разъемом 3,5 дюймов, а другой с разъемом 2,5 дюймов. Таким образом к новой станции можно будет подключить как твердотельный диск (SSD), так и жесткий диск (HDD).
Габариты станции Drive Dock составляют 160х150х85мм, а вес ни много ни мало 970 граммов.
У многих, наверное, возникает вопрос, как станция Drive Dock подключается к компьютеру. Отвечаю: это происходит через USB порт 3.1 Gen 1. По заявлению производителя скорость последовательного чтения будет составлять 434 Мб/сек, а в режиме записи (последовательного) 406 Мб/с. Новинка будет совместима с Windows и Mac OS.
Данное устройство будет очень полезным для людей, которые работают с фото и видео материалами на профессиональном уровне. Так же Drive Dock можно использовать для резервных копий файлов.
Цена на новое устройство будет приемлемой — она составляет 90 долларов.
На заметку!
Ранее Рендучинтала работал в компании Qualcomm. А с ноября 2015 года он перешел в конкурирующую компанию Intel.
В своем интервью Рендучинтала не стал говорить о мобильных процессорах, а лишь сказал следующее, цитирую: «Я предпочитаю меньше говорить и больше делать».
Таким образом, топ-менеджер Intel своим интервью внес отличную интригу. Нам остается ждать новых анонсов в будущем.
Модуль памяти DDR со 184 контактами
DDR SDRAM (отангл. Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory - синхронная динамическая память с произвольным доступом и удвоенной скоростью передачи данных) - типоперативной памяти , используемой вкомпьютерах . При использовании DDR SDRAM достигается удвоенная скорость работы, нежели в обыкновеннойSDRAM , за счёт считывания команд и данных не только по фронту, как вSDRAM , но и по срезу тактового сигнала. За счёт этого удваивается скорость передачи данных, без увеличения частоты тактового сигнала шины памяти. Таким образом, при работе DDR на частоте 100 МГц мы получим эффективную частоту 200МГц (при сравнении с аналогом SDR SDRAM). В спецификацииJEDEC есть замечание, что использовать термин «МГц» в DDR некорректно, правильно указывать скорость «миллионов передач в секунду через один вывод данных».
Ширина шины памяти составляет 64 бита, то есть по шине за один такт одновременно передаётся 8 байт. В результате получаем следующую формулу для расчёта максимальной скорости передачи для заданного типа памяти: тактовая частота шины памяти x2 (передача данных дважды за такт) x8 (число байтов передающихся за один такт). Например, чтобы обеспечить передачу данных дважды за такт, используется специальная архитектура «2n Prefetch». Внутренняя шина данных имеет ширину в два раза больше внешней. При передаче данных сначала передаётся первая половина шины данных по переднему фронту тактового сигнала, а затем вторая половина шины данных по срезу.
Помимо удвоенной передачи данных, DDR SDRAM имеет несколько других принципиальных отличий от простой памяти SDRAM. В основном они являются технологическими. Например, был добавлен сигнал QDS, который располагается на печатной плате вместе с линиями данных. По нему происходит синхронизация при передаче данных. Если используется два модуля памяти, то данные от них приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей из-за разного расстояния. Возникает проблема в выборе синхросигнала для их считывания. Использование QDS успешно это решает.
JEDEC устанавливает стандарты для скоростей DDR SDRAM, разделённых на две части: первая для чипов памяти, а вторая для модулей памяти, на которых, собственно, и размещаются чипы памяти.
Чипы памяти
В состав каждого модуля DDR SDRAM входит несколько идентичных чипов DDR SDRAM. Для модулей без коррекции ошибок (ECC ) их количество кратно 8, для модулей с ECC - кратно 9.
Спецификация чипов памяти
DDR200: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 100 МГц
DDR266: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 133 МГц
DDR333: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 166 МГц
DDR400: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 200 МГц
DDR533: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 266 МГц
DDR666: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 333 МГц
DDR800: память типа DDR SDRAM, работающая на частоте 400 МГц
Характеристики чипов
Объём чипа (DRAM density ). Записывается в мегабитах, например 256 Мбит - чип объёмом 32 мегабайта.
Организация (DRAM organization ). Записывается в виде 64M x 4, где 64M - это количество элементарных ячеек хранения (64 миллиона), а x4 (произносится «by four») - разрядность чипа, то есть разрядность каждой ячейки. Чипы DDR бывают x4 и x8, последние стоят дешевле в пересчёте на мегабайт объёма, но не позволяют использовать функцииChipkill , memory scrubbing иIntel SDDC .
Модули памяти
Модули DDR SDRAM выполнены в форм-факторе DIMM . На каждом модуле расположено несколько одинаковых чипов памяти и конфигурационный чипSPD . На модулях регистровой (registered) памяти также располагаются регистровые чипы, буферизующие и усиливающие сигнал на шине, на модулях нерегистровой (небуферизованной, unbuffered) памяти их нет.
Характеристики модулей
Объём. Указывается в мегабайтах или гигабайтах.
Количество чипов (# of DRAM Devices ). Кратно 8 для модулей безECC , для модулей с ECC - кратно 9. Чипы могут располагаться на одной или обеих сторонах модуля. Максимальное умещающееся на DIMM количество - 36 (9x4).
Количество строк (ранков) (# of DRAM rows (ranks) ). Перед обращением к ячейке памяти DDR должна быть активирована строка, в которой находится эта ячейка, причём в модуле может быть активна только одна строка за раз. Чем больше строк в модуле, тем чаще в среднем придётся закрывать одну строку и активировать другую, что вызовет дополнительные задержки. С другой стороны, контроллер памяти некоторыхчипсетов имеют ограничение на общее число ранков в установленных модулях памяти. Например чипсетIntel E7520/E7320 при использовании памяти PC2700 ограничен 8 ранками. Чтобы установить вматеринскую плату на его основе с 8 слотами DIMM максимум памяти (2 Гб x 8 = 16 Гб), необходимо использовать только одноранковые (Single Rank) модули. Типичное число ранков - 1, 2 или 4. Разрядность строки равна разрядности шины памяти и составляет 64 бита для памяти без ECC и 72 бита для памяти с ECC.
Задержки (тайминги ): CAS Latency (CL), Clock Cycle Time (tCK), Row Cycle Time (tRC), Refresh Row Cycle Time (tRFC), Row Active Time (tRAS).
Характеристики модулей и чипов, из которых они состоят, связаны.
Объём модуля равен произведению объёма одного чипа на число чипов. При использовании ECC это число дополнительно умножается на коэффициент 8/9, так как на каждый байт приходится один бит избыточности для контроля ошибок. Таким образом один и тот же объём модуля памяти можно набрать большим числом (36) маленьких чипов или малым числом (9) чипов большего объёма.
Общая разрядность модуля равна произведению разрядности одного чипа на число чипов и равна произведению числа ранков на 64 (72) бита. Таким образом, увеличение числа чипов или использование чипов x8 вместо x4 ведёт к увеличению числа ранков модуля.
В данном примере сравниваются возможные компоновки модуля серверной памяти объёмом 1 Гб. Из представленных вариантов следует предпочесть первый или третий, так как они используют чипы x4, поддерживающие продвинутые методы исправления ошибок и защиты от сбоев. При необходимости использовать одноранковую память остаётся доступен только третий вариант, однако в зависимости от текущей стоимости чипов объёмом 256 Мбит и 512 Мбит он может оказаться дороже первого.
Спецификация модулей памяти
|
Спецификация модулей памяти |
|||
|
Спецификация |
Тактовая частота шины памяти |
Максимальная теоретическая пропускная способность памяти |
|
|
в одноканальном режиме |
в двухканальном режиме |
||
|
PC1600* (DDR200) |
1600 Мбайт/сек |
3200 Мбайт/сек |
|
|
PC2100* (DDR266) |
2133 Мбайт/сек |
4267 Мбайт/сек |
|
|
2400 Мбайт/сек |
4800 Мбайт/сек |
||
|
PC2700* (DDR333) |
2667 Мбайт/сек |
5333 Мбайт/сек |
|
|
PC3200* (DDR400) |
3200 Мбайт/сек |
6400 Мбайт/сек |
|
|
3467 Мбайт/сек |
6933 Мбайт/сек |
||
|
3733 Мбайт/сек |
7467 Мбайт/сек |
||
|
4000 Мбайт/сек |
8000 Мбайт/сек |
||
|
4267 Мбайт/сек |
8533 Мбайт/сек |
||
Примечание 1: стандарты, помеченные символом «*», официально сертифицированы JEDEC. Остальные типы памяти не сертифицированы JEDEC, хотя их и выпускали многие производители памяти, а большинство выпускавшихся в последнее времяматеринских плат поддерживали данные типы памяти.
Примечание 2: выпускались модули памяти работающие и на более высоких частотах (до 350 МГц, DDR700), но эти модули не пользовались большим спросом и выпускались в малом объёме, кроме того, они имели высокую цену.
Размеры модулей также стандартизированы JEDEC.
Надо заметить, что нет никакой разницы в архитектуре DDR SDRAM с различными частотами, например между PC1600 (работает на частоте 100МГц) и PC2100 (работает на частоте 133МГц). Просто стандарт говорит о том, на какой гарантированной частоте работает данный модуль. Следовательно, любой модуль можно запускать как на более низкой тактовой частоте (такое действие носит название «андерклокинг » - «underclocking»), так и на более высокой частоте по сравнению с той, на которой работает данный модуль памяти (оверклокинг - overclocking).
Модули памяти DDR SDRAM можно отличить от обычной SDRAM по числу выводов (184 вывода у модулей DDR против 168 выводов у модулей с обычной SDRAM) и по ключу (вырезы в области контактных площадок) - у SDRAM два, у DDR - один. Согласно JEDEC, модули DDR400 работают при напряжении питания 2,6 В, а все более медленные - при напряжении 2,5 В. Некоторые скоростные модули для достижения высоких частот работают при больших напряжениях, до 2,9 В.
Большинство последних чипсетов с поддержкой DDR позволяли использовать модули DDR SDRAM в двухканальном , а некоторые чипсеты и в четырёхканальном режиме. Данный метод позволяет увеличить в 2 или 4 раза соответственно теоретическую пропускную способность шины памяти. Для работы памяти в двухканальном режиме требуется 2(или 4) модуля памяти, рекомендуется использовать модули работающие на одной частоте и имеющие одинаковый объём итайминги (ещё лучше использовать абсолютно одинаковые модули).
Сейчас модули DDR практически вытеснены модулями типов DDR2 иDDR3 , которые в результате некоторых изменений в архитектуре позволяют получить бóльшую пропускную способность подсистемы памяти. Ранее главным конкурентом DDR SDRAM являлась память типаRDRAM (Rambus ), однако ввиду наличия некоторых недостатков со временем была практически вытеснена с рынка.
Официальный сайт JEDEC (англ.)
Описание и иллюстрация почти всех параметров памяти DDR (рус.)
Intel® Server Board SE7501CW2 Memory List Test Report Summary (PDF, 246,834 bytes) (англ.)- небольшой список возможных конфигураций модуля памяти.
Kingston’s Literature Page (англ.)- несколько справочных документов, описывающих организацию модулей памяти.
Как работает динамическая память (DRAM).
В данной статье приведено небольшое описание DDR SDRAM на основе официальной спецификации. Описаны и проиллюстрированы почти все параметры памяти, влияющие на производительность. Более подробно рассмотрен параметр tRAS. Это достаточно базовая информация, которой должен владеть каждый уважающий себя любитель разгона.
Начнём с самого начала, с основ работы динамической памяти. Конечно, такой информации нет в спецификации, но будет полезно напомнить. Носителем информации в динамической памяти является электрическая ёмкость или конденсатор. Ячейки памяти, в основе которых лежит конденсатор, объединяются в массив. Чтобы считать информацию из ячейки, подаётся адресный сигнал в соответствующую строку (по-английски Row). Данные считываются из соответствующей колонки (по-английски Column) массива. Для "перевода" аналогового сигнала электрической ёмкости используются специальные усилители. Кроме того, существуют специальные цепи для подзарядки конденсаторов и записи данных. Обычно на блок-схемах всё это объединяется и обозначается как "Sense Amplifiers".
При считывании информации происходят следующие операции:
Подаётся адресный сигнал в соответствующую строку. Данные целой строки попадают на усилители и через некоторое время могут быть считаны. Такая операция называется активацией строки (по-английски Activate).
Данные считываются из соответствующей колонки. Для этого подаётся команда на чтение (по-английски Read). Данные появляются на выходе с некоторой задержкой. В современной памяти используется чтение пакета данных (по-английски Burst), представляющего собой несколько последовательно расположенных данных. Обычно размер пакета равен 8.
Пока строка остаётся активной, возможно считывание или запись других ячеек памяти (текущей строки).
Так как при чтении заряд ёмкостей ячеек памяти теряется, то производится подзарядка этих ёмкостей или закрытие строки (по-английски Precharge). После закрытия строки дальнейшее считывание данных невозможно без повторной активации.
Со временем конденсаторы ячеек разражаются и их необходимо подзаряжать. Операция подзарядки называется регенерацией (по-английски Refresh) и выполняется каждые 64 мс для каждой строки массива памяти.
При записи данных всё происходит точно так же, только чтение меняется на запись и при закрытии строки происходит непосредственная запись в массив памяти.
Ячейка памяти может хранить только один бит информации. Чтобы хранить один байт, используется 8 элементарных ячеек памяти. При этом они адресуются одинаково и организованы с использованием шины данных шириной в 8 линий. Такие объединённые ячейки образуют слово. Обычно чипы памяти имеют размер слова 4, 8, 16 бит. Ширина шины данных при этом равна 4, 8, 16 линий (или разрядность 4, 8. 16 бит). Простой модуль памяти DIMM имеет ширину шины данных 64 линий.
Банки памяти.
Чтобы обеспечить возможность быстрой работы одновременно с разными участками памяти используется архитектура с несколькими массивами памяти или банками (по-английски Bank). Банки памяти работают полностью независимо. Например, данные можно считывать из памяти банка 1, обрабатывать и записывать в память банка 2. При этом будут отсутствовать задержки на активацию и закрытие строк данных в массиве памяти, что было бы в случае одного банка.
Возможна различная организация использования банков. При этом по-разному выполняется трансляция адреса памяти, который использует процессор, в последовательность: номер банка, номер строки массива памяти, номер колонки массива памяти. В простейшем случае банки памяти идут последовательно. Соответственно преимущества от наличия нескольких банков будут, только если обращения к памяти сильно разнесены в адресном пространстве. Обычно программы работают с небольшим локальным участком памяти и не будут иметь ускорения. Возможна организация с чередованием банков (по-английски Interleaving). Сначала идёт строка первого банка, потом второго, потом опять первого, и так далее до конца памяти. Вероятность, что будут использоваться участки памяти, принадлежащие разным банкам, значительно увеличивается. Но всегда возможны "неудобные" случаи, когда рабочие участки памяти разбросаны так, что принадлежат одному банку. Тем не менее, наличие нескольких банков повышает производительность. Чем больше банков, тем лучше. В спецификации чётко написано, что DDR SDRAM имеет 4 банка памяти.
Как работает DDR.
Сокращение DDR расшифровывается как Double Data Rate или удвоенная скорость передачи данных. Число, следующее за "DDR", указывает на скорость передачи данных. Например, у DDR 400 скорость передачи 400 МГц. При этом использовать термин "МГц" некорректно. Правильно указывать скорость в "миллионах передач в секунду через один вывод данных". Такое замечание есть в спецификации. Память DDR 400 работает на частоте 200 МГц или на частоте в 2 раза меньше скорости передачи данных (вернее, скорость передачи данных в 2 раза больше тактовой частоты). Все управляющие сигналы синхронизируются частотой 200 МГц. Внутри чипа все работает классически по переднему фронту сигналов тактового генератора с частотой 200 МГц (есть правда исключение). Официальная частота DDR333 равна 167.0 МГц.
Чтобы обеспечить передачу данных дважды за такт, используется специальная архитектура "2n Prefetch". Внутренняя шина данных имеет ширину в два раза больше внешней. При передаче данных сначала передаётся первая половина шины данных по переднему фронту тактового сигнала, а затем вторая половина шины данных по заднему фронту.
Для возможности работы на высоких частотах вместо одного тактового сигнала используется два (Differential Clock). Дополнительный тактовый сигнал инвертирован относительно основного. Поэтому на самом деле синхронизация происходит не по заднему фронту. В документации написано, что синхронизация происходит при пересечении этих двух тактовых сигналов. Но, насколько я понимаю, вместо пересечения просто используется передний фронт дополнительного тактового сигнала. Хотя это только предположение.
Кроме передачи двух данных за такт, DDR SDRAM имеет несколько других принципиальных отличий от простой памяти SDRAM. В основном они являются технологическими. Например, был добавлен сигнал QDS, который располагается на печатной плате вместе с линиями данных. По нему происходит синхронизация при передаче данных. Если используется два модуля памяти, то данные от них приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей из-за разного расстояния. Возникает проблема в выборе синхросигнала для их считывания. Использование QDS успешно это решает.
Пару слов можно сказать о стандарте DDR2. Как и для обычной памяти DDR, число после "DDR2" указывает на скорость передачи данных. Поэтому DDR2 400 и DDR 400 имеют абсолютно одинаковую скорость передачи данных. Массив памяти DDR2 работает на частоте в 4 раза меньше скорости передачи (вернее скорость передачи данных в 4 раза больше частоты работы массива). Для того чтобы обеспечить передачу данных 4 раза за такт используется архитектура "4n Prefetch". При этом внутренняя шина данных имеет ширину в 4 раза больше внешней шины. Тем не менее, вся управляющая логика ввода/вывода работает на частоте в 2 раза меньше скорости передачи, то есть на 200 МГц для DDR2 400. Непосредственно на сам чип памяти подаётся только эта частота.
Внутренняя организация DDR2 осталась в основном прежней, но есть и некоторые изменения. Задержка чтения (CL - CAS Latency) уже не может быть дробной. Это сделано для упрощения внутренней логики. Задержка записи изменена с фиксированного 1 такта до RL-1, где RL (Read Latency) – задержка чтения с учетом добавочной задержки (AL – Additive Latency) или другими словами, RL=AL+CL. Задержка записи стала как минимум 2 такта (CL=3, AL=0). Это сделано для уменьшения пропусков в передаче из-за разных задержек чтения и записи и, соответственно, для лучшего использования шины данных.
Была добавлена возможность отложенного выполнения команд при помощи добавочной задержки (AL - Additive Latency). Это приводит к отсутствию перерывов в передаче данных при конфликтных ситуациях на линии команд. Например, когда необходимо подать команду на чтение и команду активации строки другого банка памяти, подаётся только одна команда, хотя память может "обработать" две команды одновременно. Использование AL позволяет избежать таких ситуаций. С одной стороны, AL уменьшает задержки на получение информации при доступе к разным строкам массива памяти и позволяет более полно нагрузить шину данных при работе с несколькими банками памяти. С другой стороны, при работе с данными, находящимися в пределах одной строки, задержки увеличиваются. Для повышения производительности в DDR2 количество банков памяти было увеличено с 4 до 8, правда, только для чипов ёмкостью 1 Гбит и выше, и с некоторыми ограничениями. Основное отрицательное влияние на скорость работы оказывает массив памяти, который работает на частоте в 2 раза меньшей, чем массив DDR, и имеет большие внутренние задержки. Собственно точные причины повышения задержек выяснить не удалось. Такая информация является "внутренней" для производителей памяти.
Подведя небольшой итог, можно сказать, что при одинаковом рейтинге память DDR2 и DDR имеют одинаковую скорость передачи данных. Главным преимуществом DDR2 является возможность функционирования на значительно более высоких частотах. Становятся доступными большие скорости передачи данных. Массив памяти DDR2 работает в 2 раза медленнее, чем массив DDR, и обладает большими задержками. Кроме того изменения в протоколе работы в среднем так же увеличили задержки.
Протоколы работы с DDR SDRAM.
"Общение" системы с памятью происходит при помощи передачи сигналов по линиям ввода/вывода. При помощи этих сигналов подаются команды, передаются и считываются данные. Форма и задержки между этими сигналами жёстко описывается в спецификации. Для понимания параметров памяти и того, как система с ней работает, можно ограничиться упрощенным представлением протокола работы. Далее будут представлены диаграммы основных операций.
На диаграмме хорошо видно, что данные начинают поступать на выход только через tRCD+CL тактов после начала операции единичного чтения. Другими словами, параметры tRCD и CL имеют одинаковое значение. Однако если запустить обычные тесты латентности памяти (ScienceMark 2.0, CPU-Z 1.20a, CacheMem 2.6), то CL будет влиять на результаты больше. Это происходит из-за того, что тесты измеряют время не случайного произвольного чтения, а последовательного чтения с некоторым шагом. При этом происходит несколько чтений в пределах активной строки. Размер строки массива памяти может быть разным, от 512 ячеек до 4096 ячеек. Соответственно, tRCD оказывает влияние на результаты реже, только при активации строки, а CL – при каждом чтении.
Проведённое исследование в статье "" показало, что в реальных приложениях изменение tRCD на 1 имеет чуть большее значение, чем изменение CL на 0.5. Ещё одним интересным моментом на диаграмме является подача команды на закрытие строки, когда передача данных не закончилась. То есть строка может быть закрытой, а данные всё ещё передаваться.
Вот определение некоторых параметров памяти, проиллюстрированных на диаграмме. Приводятся сокращённые и развернутые (не расшифровка) названия параметров, как они указаны в спецификации. Значения параметров задаются либо в абсолютном выражении в наносекундах или в циклах (тактах) тактового генератора.
tRCD (ACTIVE to READ or WRITE delay) – время необходимое на активацию строки банка памяти или минимальное время между командой активации и командой чтения/записи.
CL (CAS Latency) – время между командой чтения и началом передачи данных.
tRAS (ACTIVE to PRECHARGE command) – время необходимое на накопление заряда для операции закрытия строки банка или минимальное время между командой активации и командой закрытия (для одного и того же банка).
tRP (PRECHARGE command period) – время необходимое на закрытие строки банка памяти или минимальное время между командой закрытия и повторной активации (для одного и того же банка).
По ходу можно дать ещё пару определений параметров, не отображённых на диаграмме.
tRRD (ACTIVE bank A to ACTIVE bank B command) – минимальное время между командами активации для разных банков.
tRC (ACTIVE to ACTIVE/Auto Refresh command period) – минимальное время между командами активации одного и того же банка. Собственно это время состоит из tRAS+tRP.
При последовательном чтении следующая команда подаётся, когда данные предыдущей ещё не закончили передаваться. Это и есть конвейеризация. При этом CL абсолютно не влияет на пропускную способность памяти. Если предвыборка данных контроллером памяти организована хорошо, то CL имеет совсем небольшое влияние на производительность.
tWR (Write recovery time) – минимальное время между окончанием передачи данных при записи (по переднему фронту) и командой закрытия строки банка памяти (для одного и того же банка).
Как видно, в случае операции чтение-запись, конвейеризация не работает. Получается бесполезный пропуск 1 такта.
При операции запись-чтение, конвейеризация тоже не работает. Пропуск равен tWTR+CL тактов.
tWTR (Internal Write to Read Command Delay) – минимальное время между окончанием передачи данных при записи (по переднему фронту) и командой чтения (для любого банка памяти).
Собственно это все параметры памяти, влияющие на производительность, за исключением параметров, относящихся к регенерации. Пару слов можно сказать про наилучшие значения параметров памяти. Все параметры, за исключением CL, определяют минимальное время. Параметр CL жестко фиксирован и программируется в чипе памяти при инициализации (кстати, это объясняет невозможность изменения CL на платах nForce2 без перезагрузки, в то время как tRAS и другие параметры менять можно). Для любого параметра меньшее значение обеспечивает более высокую скорость. Влияние на производительность некоторых параметров приведено в статье "Зависимость производительности от частоты шины и параметров памяти на ASUS A7N8X-X (nForce2 400) ".
Чипы памяти, модули памяти.
Под понятием DDR SDRAM подразумеваются собственно чипы или микросхемы памяти. В обычных современных компьютерах в качестве основной памяти используются модули памяти DIMM (Dual In-Line Memory Modules). Модуль памяти представляет собой "сборку" на печатной плате, состоящую из нескольких чипов памяти. Кроме того, на модуле расположена небольшая энергонезависимая память для хранения конфигурационной информации (SPD). Это маленькая микросхема с небольшим числом выводов. В случае буферизированных модулей, имеются чипы буферов.
